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NTD4960N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2000
V GS = 0 V
10
Q T
1500
C iss
T J = 25 ° C
8
6
V GS
1000
500
C oss
4
2
Q 1
Q 2
0
0
C rss
5
10
15
20
25
0
0
5
10
15
I D = 30 A
T J = 25 ° C
20
25
1000
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 11.5 V
t d(off)
25
20
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
t f
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
100
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
90
I D = 13 A
100
10 m s
80
70
25
10
1
0.1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
60
50
40
30
20
10
0
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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